Datasheet下载- 型号： MUN2234T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2234T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2234T1G价格参考。ON SemiconductorMUN2234T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2234T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2234T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2234T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT），属于带内置偏置电阻的NPN型晶体管。其集成了基极与发射极之间的偏置电阻，简化了电路设计，无需外接偏置元件，适用于中小功率开关和信号放大应用。 该器件广泛应用于消费类电子、工业控制及便携式设备中。典型应用场景包括：逻辑电平转换、LED驱动电路、小型继电器或负载的开关控制、电源管理模块中的信号切换，以及微控制器输出驱动增强等。由于集成电阻提高了稳定性并减小了PCB占用空间，特别适合高密度贴装和成本敏感型设计。 MUN2234T1G采用SOT-23小型封装，便于表面贴装，具有良好的热稳定性和可靠性，工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），适用于严苛环境下的应用。其快速开关特性也使其在高频数字电路中表现良好。 总之，MUN2234T1G凭借其集成化设计、高可靠性和紧凑封装，广泛用于各类需要简便、高效晶体管开关功能的电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN2234T1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 338mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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