Datasheet下载- 型号： MUN2216T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2216T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2216T1G价格参考。ON SemiconductorMUN2216T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2216T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2216T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2216T1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT），属于单管配置。该器件内部集成了基极偏置电阻，简化了外围电路设计，常用于数字开关和逻辑控制电路中。 其主要应用场景包括： 1. 逻辑电平转换：在数字电路中用于将不同电压电平的信号进行转换，实现信号兼容。 2. 开关电路：适用于需要高速开关的场合，如LED驱动、继电器控制、电机驱动等。 3. 缓冲器和驱动器：在微控制器或逻辑电路与负载之间作为驱动级，提高驱动能力。 4. 电源管理电路：用于电源开关控制或负载切换，实现节能与高效管理。 5. 消费类电子产品：如手机、平板、家电控制板等，因其封装小巧、外围简单，适合高密度PCB布局。 6. 工业控制：用于PLC模块、传感器接口、自动控制系统中的信号放大与切换。 该器件采用SOT-23小外形封装，适合表面贴装工艺，具有良好的稳定性和可靠性，广泛应用于中低功率、高效率的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR NPN 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN2216T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN2216T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 338mW |
| 功率耗散 | 338 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 |
| 系列 | MUN2216 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
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