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  • 型号: MUN2215T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2215T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2215T1G价格参考。ON SemiconductorMUN2215T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN2215T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN2215T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN2215T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于NPN型,集成了内置偏置电阻,简化了电路设计。该器件广泛应用于各类中小功率电子系统中。

其典型应用场景包括:开关电路,如LED驱动、继电器控制和电源管理模块,得益于其集成电阻设计,可直接通过微控制器I/O口驱动,无需外接偏置元件,节省PCB空间并提高可靠性;在便携式设备(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备)中用于信号切换或负载开关,因其小型化封装(SOT-23)和低功耗特性非常适用;工业控制领域中用于传感器信号调理、逻辑电平转换及小功率驱动电路;还可用于消费类电子产品中的电机控制、音频开关及接口电路等。

MUN2215T1G具有高增益、快速开关响应和良好的温度稳定性,工作温度范围宽(-55°C至+150°C),适合严苛环境下的应用。同时,该器件符合RoHS环保要求,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造。由于其高集成度和高可靠性,成为替代传统分立晶体管加电阻组合的理想选择,广泛服务于消费电子、工业自动化、汽车电子(非动力部分)等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR NPN 50V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN2215T1G-

数据手册

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产品型号

MUN2215T1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

160 @ 5mA,10V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SC-59

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

338mW

功率耗散

338 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SC-59

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

160

系列

MUN2215

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

-

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