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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2215T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2215T1G价格参考。ON SemiconductorMUN2215T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN2215T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN2215T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2215T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于NPN型,集成了内置偏置电阻,简化了电路设计。该器件广泛应用于各类中小功率电子系统中。 其典型应用场景包括:开关电路,如LED驱动、继电器控制和电源管理模块,得益于其集成电阻设计,可直接通过微控制器I/O口驱动,无需外接偏置元件,节省PCB空间并提高可靠性;在便携式设备(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备)中用于信号切换或负载开关,因其小型化封装(SOT-23)和低功耗特性非常适用;工业控制领域中用于传感器信号调理、逻辑电平转换及小功率驱动电路;还可用于消费类电子产品中的电机控制、音频开关及接口电路等。 MUN2215T1G具有高增益、快速开关响应和良好的温度稳定性,工作温度范围宽(-55°C至+150°C),适合严苛环境下的应用。同时,该器件符合RoHS环保要求,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造。由于其高集成度和高可靠性,成为替代传统分立晶体管加电阻组合的理想选择,广泛服务于消费电子、工业自动化、汽车电子(非动力部分)等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR NPN 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN2215T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN2215T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 338mW |
| 功率耗散 | 338 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 |
| 系列 | MUN2215 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |