【未分类_MUN2115T1G】封装/厂家_MUN2115T1G中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MUN2115T1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2115T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2115T1G价格参考。ON SemiconductorMUN2115T1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MUN2115T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2115T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN2115T1G是ON Semiconductor推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），简化外围电路设计。其典型应用场景包括：  
1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如STM32、PIC）GPIO引脚驱动LED、小型继电器或光耦输入端，实现3.3V/5V TTL电平到负载的可靠开关控制；  
2. 低功耗开关应用：因具备高直流电流增益（hFE ≥ 80 @ Ic = 5mA）和低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.25V），适用于电池供电设备中的信号切换、状态指示（如电源LED）、传感器使能控制等；  
3. 替代传统分立偏置BJT方案：在空间受限的消费电子（如智能穿戴、IoT终端）、家电控制板中，可减少元件数量、提升贴片良率与可靠性；  
4. 反相器/缓冲器功能：配合上拉电阻可构成简单反相开关电路，用于按键去抖、复位信号整形等基础数字功能。  
该器件采用SOT-23封装，支持无铅回流焊，工作结温范围-55℃~+150℃，具备ESD防护能力（HBM ≥ 4kV），适用于工业控制、汽车电子（非安全关键系统，如车窗控制、照明辅助）及通用嵌入式系统。注意：不适用于线性放大或高频射频场景，且最大集电极电流为100mA（连续），需合理设计负载与散热。

产品参数图文手册常见问题