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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2112T1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2112T1价格参考。ON SemiconductorMUN2112T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN2112T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN2112T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2112T1 是安森美(ON Semiconductor)推出的预偏置NPN型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极和基极-电阻网络(典型R₁=10kΩ,R₂=10kΩ),无需外部偏置电阻,简化电路设计。其主要应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:常用于微控制器(如STM32、PIC、Arduino)GPIO引脚驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极,实现5V/3.3V TTL/CMOS信号到负载的可靠开关控制。 2. 低功耗开关应用:适用于便携设备(如IoT传感器节点、可穿戴设备)中的电源管理、LED指示灯控制、按键扫描等,因内置电阻降低外围元件数,节省PCB面积并提升可靠性。 3. 工业与消费类电子中的信号调理:在PLC输入模块、家电控制板(如洗衣机、空调主控板)中用作光电耦合器后级驱动或按钮去抖后的缓冲开关。 4. 替代传统分立偏置BJT方案:在成本敏感、空间受限的设计中,直接替换“普通NPN+两个偏置电阻”组合,提高生产良率与一致性。 该器件最大集电极电流IC为100mA,VCEO=50V,hFE典型值为160(IC=5mA, VCE=5V),采用SOT-23小体积封装,支持无铅回流焊工艺。注意:不适用于线性放大或高频模拟电路,仅推荐工作于饱和/截止开关状态。