【未分类_MTW8N50E】封装/厂家_MTW8N50E中文资料_价格

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型号： MTW8N50E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTW8N50E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTW8N50E价格参考。ON SemiconductorMTW8N50E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTW8N50E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTW8N50E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor 的 MTW8N50E 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，主要参数为：耐压 500 V、连续漏极电流 8 A（Tc=25°C）、RDS(on) 典型值 0.85 Ω（VGS=10 V）。其设计兼顾高耐压、中等电流能力与较低导通损耗，适用于中高频开关应用。

典型应用场景包括：  
✅ 开关电源（SMPS）：如 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管或 PFC（功率因数校正）升压开关；  
✅ 工业控制与电机驱动：用于中小功率变频器、风机/水泵控制器、伺服驱动器的逆变桥臂下管（需搭配驱动与保护电路）；  
✅ 家电与白色家电：空调压缩机驱动、电磁炉谐振开关、微波炉高压电源等中等功率开关场合；  
✅ 照明电子镇流器及 HID 灯驱动：满足高压启动与稳定高频工作的需求。

该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS），增强了系统可靠性；同时具备快速开关特性（典型 tr/tf < 30 ns），有助于提升效率并减小 EMI 滤波成本。但需注意：实际应用中应合理设计栅极驱动（推荐 VGS = 10–15 V）、提供足够散热（TO-247 封装需良好散热片）、并加入过压/过流保护以确保长期稳定运行。

（字数：398）

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