【未分类_MTP8N50E】封装/厂家_MTP8N50E中文资料_价格

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型号： MTP8N50E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTP8N50E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTP8N50E价格参考。ON SemiconductorMTP8N50E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTP8N50E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTP8N50E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTP8N50E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，主要参数为：8A连续漏极电流（ID）、500V漏源击穿电压（V(BR)DSS）、典型导通电阻RDS(on)约0.9Ω（VGS=10V），采用TO-220封装，具备良好的开关特性和热稳定性。

其典型应用场景包括：  
- 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或PFC（功率因数校正）电路；  
- 电机控制：适用于中小功率直流电机、风机、水泵等的H桥或单管驱动电路；  
- 工业控制与电源模块：如PLC输出级、继电器替代、固态继电器（SSR）及DC-DC转换器中的高频开关元件；  
- 消费电子与家电：电磁炉、微波炉、空调压缩机驱动等需中高压、中电流切换的场合；  
- 照明系统：大功率LED恒流驱动及调光控制中的主控开关器件。

该器件具备雪崩耐受能力（UIS rated），增强了系统鲁棒性；其较低的栅极电荷（Qg≈32nC）利于高频高效开关，兼顾效率与EMI性能。需注意合理设计驱动电路（推荐10–15V栅极驱动）及散热措施（TO-220需配散热片），以保障长期可靠运行。

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