【未分类_MTP1N60E】封装/厂家_MTP1N60E中文资料_价格

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型号： MTP1N60E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTP1N60E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTP1N60E价格参考。ON SemiconductorMTP1N60E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTP1N60E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTP1N60E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTP1N60E 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220封装，额定电压600V、连续漏极电流1.1A（Tc=25℃），RDS(on)典型值为14Ω（VGS=10V），具备快速开关特性与内置体二极管。

其主要应用场景包括：  
✅ 小功率开关电源（SMPS）：如适配器、充电器中的初级侧开关管，适用于反激式（Flyback）拓扑，在85–265V AC输入下实现高效隔离供电。  
✅ LED驱动电路：用于非隔离型LED恒流驱动或PWM调光控制，尤其适用于中低功率（<15W）LED照明模块。  
✅ 家电与工业控制：在电磁炉、电风扇、水泵等设备的电机控制、继电器替代及过流保护电路中，作为高频通断开关使用。  
✅ 辅助电源与待机电源：在主系统关机后维持微控制器、通信模块等低压电路供电，利用其低栅极电荷和高耐压优势实现轻载高效运行。  

该器件设计注重可靠性与成本效益，适用于对体积、效率和EMI有一定要求但功率密度不极端的中低端应用。需注意：实际使用中应合理设计驱动电路（确保VGS≥10V以充分导通）、加装散热片（高负载时），并配合RC缓冲电路抑制电压尖峰，以发挥最佳性能。

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