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  • 型号: MTM862270LBF
  • 制造商: Panasonic Corporation
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MTM862270LBF由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTM862270LBF价格参考。Panasonic CorporationMTM862270LBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTM862270LBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTM862270LBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6MOSFET NCH MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.2 A

Id-连续漏极电流

2.2 A

品牌

Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic

产品手册

http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJD7004+MTM86227+8+WW

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Panasonic MTM862270LBF-

数据手册

http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJD7004+MTM86227+8+WW

产品型号

MTM862270LBFMTM862270LBF

RdsOn-Drain-SourceResistance

150 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

150 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

280pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

105 毫欧 @ 1A,4V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25771

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

WSSMini6-F1

其它名称

MTM862270LBFDKR

功率-最大值

540mW

包装

Digi-Reel®

商标

Panasonic

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-SMD,扁平引线

封装/箱体

WSSMini-6-F1

工厂包装数量

10000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.2A (Ta)

配置

Single

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