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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTM862270LBF由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTM862270LBF价格参考。Panasonic CorporationMTM862270LBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTM862270LBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTM862270LBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6MOSFET NCH MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic |
| 产品手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJD7004+MTM86227+8+WW |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Panasonic MTM862270LBF- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJD7004+MTM86227+8+WW |
| 产品型号 | MTM862270LBFMTM862270LBF |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 105 毫欧 @ 1A,4V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25771 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | WSSMini6-F1 |
| 其它名称 | MTM862270LBFDKR |
| 功率-最大值 | 540mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
| 封装/箱体 | WSSMini-6-F1 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.2A (Ta) |
| 配置 | Single |