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  • 型号: MTM684100LBF
  • 制造商: Panasonic Corporation
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MTM684100LBF由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTM684100LBF价格参考。Panasonic CorporationMTM684100LBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTM684100LBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTM684100LBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 12V 4.8A WMINI8MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

- 4.8 A

Id-连续漏极电流

- 4.8 A

品牌

PanasonicPanasonic Electronic Components - Semiconductor Products

产品手册

http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJD7004+MTM68410+8+WW

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Panasonic MTM684100LBF-

数据手册

http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJD7004+MTM68410+8+WW

产品型号

MTM684100LBFMTM684100LBF

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

42 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

42 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 12 V

Vds-漏源极击穿电压

- 12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

11 ns

下降时间

85 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1200pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

42 毫欧 @ 1A,4V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25771

产品目录绘图

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

W迷你型8-F1

其它名称

MTM684100LBFCT

典型关闭延迟时间

235 ns

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

商标

Panasonic

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

封装/箱体

WMini-8-F1

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

3.5 S

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.8A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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