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- 型号： MTD4N20E1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTD4N20E1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD4N20E1价格参考。ON SemiconductorMTD4N20E1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTD4N20E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTD4N20E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTD4N20E1 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）封装，额定参数为：VDS = 200 V，ID（连续）= 4 A，RDS(on) 典型值约 1.8 Ω（VGS = 10 V），具备内置 ESD 保护和优化的开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ 中小功率开关电源（SMPS）：如适配器、LED 驱动电源中的初级侧开关或次级同步整流控制； ✅ DC-DC 转换器：在 12–48 V 输入的降压（Buck）或反激（Flyback）拓扑中用作主开关管； ✅ 电机控制：适用于低功耗直流无刷（BLDC）风扇、小型步进/有刷电机的 H 桥驱动（需搭配驱动芯片及保护电路）； ✅ LED 照明系统：用于调光控制、恒流驱动或 PWM 开关； ✅ 工业与家电控制模块：如继电器替代、电磁阀驱动、电源管理单元中的负载开关等。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS Rated），适合存在感性负载或电压尖峰的环境；TO-252 封装兼顾散热性与贴片生产便利性，适用于空间受限但需可靠性能的中低频（≤100 kHz）开关应用。不建议用于高频谐振（如 LLC）或大电流连续导通场景（因 RDS(on) 相对较高）。使用时需注意栅极驱动电压（推荐 10 V 充分导通）、PCB 散热设计及过压/过流保护。
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