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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTB60N10E7L由Motorola设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB60N10E7L价格参考。MotorolaMTB60N10E7L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTB60N10E7L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTB60N10E7L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTB60N10E7L 是一款由安森美(onsemi)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有 100V 耐压、60A 连续漏极电流(Tc=25℃)、低导通电阻(RDS(on) 典型值仅 11.5mΩ @ VGS=10V)及优化的 E7 平台技术,具备优异的开关性能与抗雪崩能力。 其典型应用场景包括: ✅ 中大功率 DC-DC 转换器:如通信电源、服务器 PSU 中的同步整流或高压侧开关; ✅ 电机驱动系统:适用于 24–48V 工业风机、泵、电动工具等 BLDC 或有刷电机的 H 桥/半桥驱动; ✅ 电池管理系统(BMS):用作电池保护电路中的充放电主控开关或均衡开关,支持高电流通断与快速响应; ✅ LED 驱动电源:在高亮度路灯或工矿灯恒流驱动中承担 PWM 开关功能; ✅ 逆变器与 UPS:作为辅助开关或辅助电源模块中的功率开关器件。 该器件具备良好的热稳定性与可靠性,配合合适的散热设计(如加装散热片),可长期稳定工作于高负载工况。需注意:实际应用中应合理设计栅极驱动(推荐 10–15V 驱动电压)、添加栅极电阻抑制振荡,并确保 SOA(安全工作区)不被超出。 (字数:398)