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- 型号： MTB50P03HDL
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTB50P03HDL由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB50P03HDL价格参考。ON SemiconductorMTB50P03HDL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTB50P03HDL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTB50P03HDL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTB50P03HDL 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型Trench MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，额定参数为：-30V VDS、-50A ID（连续）、典型RDS(on)低至9.5mΩ（VGS = -10V），具备快速开关特性与强抗雪崩能力。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的高边或低边开关（尤其适合作为P沟道高边开关，简化驱动设计）； ✅ 负载开关与电源管理：在工业控制、服务器电源、通信设备中用作板级电源通断控制，支持热插拔与浪涌电流抑制； ✅ 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机的H桥高侧驱动或单向控制，提供可靠关断与低导通损耗； ✅ 电池保护电路：在便携式设备或电池包中用于充放电路径控制（如过流/短路保护中的反向阻断开关）； ✅ LED驱动与照明系统：作为调光或区域控制的功率开关，兼顾效率与散热性能。 该器件具备100% UIS（非钳位感性开关）测试认证，适用于含感性负载的严苛环境；其宽安全工作区（SOA）和优化的体二极管特性也利于提升系统可靠性。需注意：P沟道设计使其栅极驱动逻辑与N沟道相反（低电平导通），实际应用中需匹配合适的驱动电路。
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