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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTB4N50ET4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB4N50ET4价格参考。ON SemiconductorMTB4N50ET4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTB4N50ET4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTB4N50ET4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTB4N50ET4 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 N 沟道增强型高压 MOSFET,采用 TO-220AB 封装(“T4”通常指带绝缘片/打孔的 TO-220 变体),额定参数为:VDSS = 500 V,ID(连续)= 4 A,RDS(on) ≈ 1.8 Ω(典型值,VGS = 10 V)。其高耐压、中等电流及成熟封装特性,使其适用于中功率开关场景。 典型应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):如 AC-DC 适配器、LED 驱动电源中的主开关管(反激式或降压式拓扑),在 30–100 W 功率等级中兼顾效率与成本; ✅ 电机控制:用于小功率直流无刷电机(BLDC)或有刷电机的驱动桥臂(尤其下管),适用于电动工具、风扇、家用电器等; ✅ LED 照明系统:作为恒流调光或PWM调光的功率开关,支持宽输入电压范围(如85–265 VAC整流后应用); ✅ 工业控制与继电器替代:在PLC输出模块、固态继电器(SSR)中实现可靠通断,具备良好雪崩耐量(UIS rated),提升系统鲁棒性; ✅ 电池管理系统(BMS)保护电路:用于过充/过放保护的充放电主控开关(需配合驱动与保护IC)。 注意:该器件为单管、非逻辑电平驱动(推荐VGS ≥ 10 V),设计时需确保栅极驱动能力充足,并注意散热(TO-220需加散热器以维持温升)。不适用于高频(>100 kHz)或大电流(>5 A持续)场景。