【未分类_MTB16N25E】封装/厂家_MTB16N25E中文资料_价格

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型号： MTB16N25E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTB16N25E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB16N25E价格参考。ON SemiconductorMTB16N25E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTB16N25E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTB16N25E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTB16N25E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型垂直双扩散MOSFET（VDMOS），额定参数为16A、250V、Rds(on)典型值0.22Ω（Vgs=10V）。其TO-220AB封装具备良好散热性，内置续流二极管（体二极管），具备快速恢复特性。

典型应用场景包括：  
• 开关电源（SMPS）：用于AC-DC适配器、PC电源、工业电源的主开关或同步整流环节，兼顾效率与成本；  
• 电机控制：适用于中小功率直流电机驱动（如风扇、泵、电动工具）、步进/有刷电机H桥中的高低侧开关；  
• 照明电子镇流器与LED驱动：在高频调光电路或恒流驱动拓扑中作为功率开关；  
• 逆变器与UPS系统：在24–48V输入的小型离线式逆变器中承担DC-AC转换开关功能；  
• 电瓶车/储能系统保护电路：用于电池管理中的充放电控制、过流/短路保护开关。

该器件具有较低导通损耗、良好的雪崩耐受能力（UIS额定值）及稳定热性能，适合中频（≤100kHz）硬开关应用。需注意：设计时应合理匹配栅极驱动（推荐10–15V驱动电压）、优化PCB布局以降低寄生电感，并配置适当散热措施以保障长期可靠性。

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