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- 型号： MTB10N40E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTB10N40E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB10N40E价格参考。ON SemiconductorMTB10N40E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTB10N40E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTB10N40E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTB10N40E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有400V漏源耐压（VDSS）、10A连续漏极电流（ID，TC=25°C）及较低的导通电阻（RDS(on)典型值为0.45Ω），具备良好的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或PFC升压开关； - 电机控制：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类家电电机的H桥或单管驱动电路； - 工业控制与电源管理：用于继电器替代、固态开关、电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关； - 照明电子：高压LED恒流驱动电路中的PWM调光开关元件； - 消费电子：打印机、复印机等设备中需400V耐压的功率开关节点。 该器件内置快速恢复体二极管，支持一定反向续流能力，简化外围设计；同时具备雪崩耐量（UIS rated），提升系统鲁棒性。适用于中频（≤100kHz）硬开关应用，不推荐用于高频谐振拓扑（如LLC）的主开关。实际使用中需配合合理散热设计（如加装散热片）及栅极驱动优化（避免振荡与过压），以确保长期可靠性。
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