Datasheet下载- 型号： MT8VDDT6464HY-335F3
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT8VDDT6464HY-335F3由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT8VDDT6464HY-335F3价格参考。Micron Technology IncMT8VDDT6464HY-335F3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT8VDDT6464HY-335F3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT8VDDT6464HY-335F3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT8VDDT6464HY-335F3是美光科技（Micron Technology Inc.）生产的一款DDR3 SDRAM内存模块，属于存储器-模块类别。该型号为小型BGA封装的1GB容量、x16位宽的DDR3L内存芯片，工作电压为1.35V，速度等级为800MHz（等效于PC3-12800），适用于对功耗敏感且空间受限的应用场景。 其主要应用场景包括：工业自动化设备、嵌入式系统、网络通信设备（如路由器、交换机）、医疗电子设备、车载信息娱乐系统以及便携式终端设备。由于其低功耗和高可靠性的特点，特别适合需要长时间稳定运行且散热条件有限的环境。此外，该芯片也常用于固态硬盘（SSD）控制器缓存、打印机内存扩展及高端消费类电子产品中。 MT8VDDT6464HY-335F3符合RoHS环保标准，具备良好的温度适应性，可在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定工作，因此广泛应用于对环境适应性和可靠性要求较高的领域。作为美光成熟DDR3产品线的一部分，它在系统升级或替代设计中也具有较高的兼容性和供货稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 存储卡，模块 |
| 描述 | MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM |
| 产品分类 | 存储器 - 模块 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT8VDDT6464HY-335F3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 存储器类型 | DDR SDRAM |
| 存储容量 | 512MB |
| 封装/外壳 | 200-SODIMM |
| 标准包装 | 100 |
| 速度 | 333MT/s |
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