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- 型号： MT8JTF51264AZ-1G6E1
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT8JTF51264AZ-1G6E1由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT8JTF51264AZ-1G6E1价格参考。Micron Technology IncMT8JTF51264AZ-1G6E1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT8JTF51264AZ-1G6E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT8JTF51264AZ-1G6E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT8JTF51264AZ-1G6E1 是美光科技（Micron Technology Inc.）生产的一款DDR3L Registered DIMM（RDIMM）内存模块，容量为4GB，工作频率为1600MHz，采用240-pin设计，适用于服务器和工作站等高性能计算环境。 该内存模块主要应用于需要高稳定性、高可靠性和大内存带宽的企业级系统。典型应用场景包括：企业级服务器（如Dell PowerEdge、HP ProLiant、Lenovo System x等）、数据中心、云计算平台、虚拟化环境以及大型数据库服务器。由于其具备寄存器缓冲功能，可减轻主板内存控制器的电气负载，支持更高容量和更多内存插槽的配置，适合多路CPU和高密度内存部署。 此外，该型号支持低电压运行（1.35V），有助于降低系统功耗，提升能效，适用于对散热和能耗敏感的机架式服务器和长期连续运行的工业控制系统。也常见于存储阵列设备（如NAS/SAN）和网络通信设备中，用于提升数据处理速度与系统响应能力。 总之，MT8JTF51264AZ-1G6E1广泛用于要求稳定、高效、持续运行的企业级硬件平台，是传统数据中心升级或维护中的常用内存组件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 存储卡，模块 |
| 描述 | MODULE DDR3 4GB UDIMM |
| 产品分类 | 存储器 - 模块 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT8JTF51264AZ-1G6E1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 存储器类型 | DDR3 SDRAM |
| 存储容量 | 4GB |
| 封装/外壳 | 240-UDIMM |
| 标准包装 | 100 |
| 速度 | 1600MT/s |
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