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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MT58L512L18PS-7.5由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT58L512L18PS-7.5价格参考。Micron Technology IncMT58L512L18PS-7.5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT58L512L18PS-7.5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT58L512L18PS-7.5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT58L512L18PS-7.5 是美光(Micron Technology Inc.)推出的一款低功耗、高性能的QDR(Quad Data Rate)SRAM存储器,容量为512Mb(64M×8),采用18位数据总线,工作速率为7.5 Gbps(即750 MHz时钟下四倍数据速率),封装为165-ball FBGA。该器件主要面向对带宽、延迟和功耗敏感的高端网络与通信设备。 典型应用场景包括:高速网络设备中的数据包缓冲与查找表(如核心路由器、交换机的TCAM辅助缓存、FIB/ACL表缓存);电信基础设施(如5G基站基带单元BBU、O-RAN前传/中传处理模块)中实时信号处理的数据暂存;测试测量设备(如高速逻辑分析仪、协议分析仪)的深度采集缓存;以及部分高性能FPGA协处理系统中作为低延迟共享内存或流式数据缓冲区。 其QDR架构支持独立读写端口、突发访问与流水线操作,可实现连续高吞吐读写,且低电压(1.5V核心/1.8V I/O)与优化功耗设计,适用于散热受限的紧凑型通信模块。需注意:该型号已进入美光产品寿命终止(EOL)流程,当前多用于存量设备维护或替代设计评估,新项目建议参考美光新一代QLP/QDR-IV或GDDR6/X等升级方案。