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- 型号： MT55L512Y36FT-11
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT55L512Y36FT-11由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT55L512Y36FT-11价格参考。Micron Technology IncMT55L512Y36FT-11封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT55L512Y36FT-11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT55L512Y36FT-11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT55L512Y36FT-11 是美光（Micron Technology Inc.）推出的一款高性能、低功耗的LPDDR4X移动DRAM芯片，容量为512Mb（64MB），36位数据总线，运行速率为2133 MT/s（对应时钟频率1066 MHz），封装为FBGA（9mm × 13mm），典型工作电压为0.6 V（核心）和1.1 V（I/O）。 该器件专为对能效、带宽与空间敏感的移动及嵌入式设备设计，主要应用场景包括：智能手机和平板电脑的主内存（配合应用处理器如高通骁龙、联发科天玑系列）；车载信息娱乐系统（IVI）与智能座舱，满足AEC-Q200基础可靠性要求（需确认具体批次是否通过车规认证）；高端可穿戴设备（如智能手表、AR眼镜）中兼顾性能与续航需求；以及工业级边缘计算模块、5G CPE终端、便携式医疗设备等对温度稳定性（-25°C ~ 85°C商用级，部分版本支持扩展温度范围）和低功耗有严苛要求的嵌入式系统。 需注意：该型号属LPDDR4X标准，不适用于传统PC或服务器平台（需DDR4/DDR5），亦非NAND闪存，不可用于长期数据存储。实际应用中须配合符合JEDEC LPDDR4X规范的控制器，并重视电源完整性与信号完整性设计。
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