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- 型号： MT55L256L18F1T-12
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT55L256L18F1T-12由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT55L256L18F1T-12价格参考。Micron Technology IncMT55L256L18F1T-12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT55L256L18F1T-12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT55L256L18F1T-12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT55L256L18F1T-12 是美光（Micron）公司推出的低功耗DDR3L SDRAM存储器，容量为256Mb（32MB），18位数据总线，TSOP封装，工作电压1.35V，时钟频率最高800MHz（tCK=1.25ns），支持-12速度等级（即CL=12）。 该器件主要面向对功耗、尺寸和成本敏感的嵌入式与便携式应用场景，典型应用包括： - 工业控制设备（如HMI人机界面、PLC模块、工业网关），需稳定运行于宽温环境（-40℃~85℃）； - 网络通信终端（如家用/企业级路由器、ONU光猫、网络交换模块），作为主控SoC的片外缓存或系统内存； - 消费类电子（智能电视主板、机顶盒、车载信息娱乐系统IVI），兼顾性能与能效； - 医疗便携设备（如手持超声仪、监护仪数据缓存模块），依赖其低功耗与高可靠性。 其TSOP-54封装便于PCB布局，适合空间受限设计；DDR3L低压特性显著降低系统待机与动态功耗，延长电池供电设备续航。需注意：该型号已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估美光LPDDR4/LPDDR5或兼容替代料。
产品参数
图文手册
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