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产品简介:
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型号为MT4VDDT3264AY-40BF1的存储器模块由品牌Micron Technology Inc.生产,属于DRAM(动态随机存取存储器)模块,通常用于高性能计算系统中。该模块具有较高的数据传输速率和较大的存储容量,适用于对内存性能要求较高的应用场景。 主要应用场景包括: 1. 服务器与数据中心:适用于企业级服务器和云计算平台,用于提升数据处理效率和系统响应速度,支持多任务并发处理。 2. 网络设备:如高端路由器和交换机,用于缓存和快速转发大量网络数据包,保障网络通信的高效与稳定。 3. 工业控制与嵌入式系统:在需要高稳定性和高性能的工业自动化设备中作为主内存使用,支持复杂控制逻辑和实时数据处理。 4. 通信设备:用于基站、通信网关等设备中,支持高速数据传输与信号处理,满足5G等新一代通信技术的需求。 5. 测试与测量设备:在高精度测试仪器中用于存储和分析大量测试数据,确保设备运行的准确性与稳定性。 该模块具有良好的兼容性和可靠性,适用于多种高性能嵌入式与计算平台。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 存储卡,模块 |
| 描述 | MODULE DDR 256MB 184-UDIMM |
| 产品分类 | 存储器 - 模块 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT4VDDT3264AY-40BF1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 其它名称 | 557-1342 |
| 存储器类型 | DDR SDRAM |
| 存储容量 | 256MB |
| 封装/外壳 | 184-DIMM |
| 标准包装 | 100 |
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| 速度 | 200MHz |