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产品简介:
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品牌为美光科技(Micron Technology Inc.)的存储器产品,型号MT49H32M18BM-18:B,属于高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要应用于对数据处理速度和系统稳定性要求较高的高端电子设备中。 该型号存储器常用于工业控制、网络通信设备、服务器、嵌入式系统以及汽车电子等领域。例如,在工业自动化控制系统中,它可提供快速的数据缓存支持,提升设备运行效率;在网络设备如交换机或路由器中,有助于实现高速数据转发与处理;在车载电子系统中,可用于高级驾驶辅助系统(ADAS)或车载信息娱乐系统,保障系统实时响应能力。 此外,该产品具备良好的温度适应性和可靠性,适合在复杂环境条件下长时间稳定运行,因此也适用于航空航天、医疗设备等高可靠性要求的行业场景。其高带宽和低延迟特性,使其成为需要大量数据吞吐与快速访问应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC RLDRAM 576MBIT 1.875NS UBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT49H32M18BM-18:B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 144-µBGA (18.5x11) |
| 包装 | 散装 |
| 存储器类型 | RLDRAM 2 |
| 存储容量 | 576M(32M x 18) |
| 封装/外壳 | 144-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 1.875ns |