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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT47H64M8B6-3 IT:D TR 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要高速数据处理和大容量内存的电子设备中。 该型号的具体应用场景包括: 1. 网络设备:如路由器和交换机,用于提升数据转发和缓存处理速度; 2. 通信基础设施:在基站、无线接入设备中用于支持高速数据传输与临时数据存储; 3. 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、嵌入式系统等,用于实时数据处理与缓存; 4. 消费类电子产品:例如高端平板电脑、智能电视和多媒体播放器,以支持流畅的图形处理与多任务运行; 5. 汽车电子系统:包括车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS),对数据存储和响应速度有较高要求; 6. 物联网(IoT)设备:用于边缘计算设备中,实现快速数据采集与处理。 该存储器具备高带宽、低延迟和低功耗特性,适合对性能与能效均有要求的场景。其封装形式和电气特性也适合工业级温度范围,适用于严苛环境下的稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MT47H64M8B6-3 IT:D TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 60-FBGA |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 512M(64M x 8) |
| 封装/外壳 | 60-FBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 3ns |