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产品简介:
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品牌为Micron Technology Inc.、分类为存储器、型号为MT47H256M8THN-25E:H的器件是一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,常用于需要高性能和大容量内存支持的电子设备中。 该型号存储器主要适用于以下应用场景: 1. 网络设备:如路由器、交换机等通信基础设施,对数据吞吐量和处理速度要求高,该DRAM可提供高速数据缓存支持。 2. 工业控制与自动化系统:在工业PLC、HMI(人机界面)及嵌入式控制系统中,用于临时存储运行数据和程序指令,提升系统响应速度和稳定性。 3. 消费类电子产品:例如高端平板电脑、智能电视或游戏设备,用于提升图形处理能力和多任务执行效率。 4. 汽车电子系统:包括车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS),对内存带宽和可靠性有较高要求,适合该类产品应用。 5. 边缘计算设备:在边缘服务器或AI推理设备中作为主存使用,支持快速数据处理和模型运算。 该存储器采用高密度封装技术,具备较高的数据传输速率和较低的功耗特性,适用于对空间和能效敏感的设计环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 63FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT47H256M8THN-25E:H |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 63-FBGA(8x10) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 2G(256M x 8) |
| 封装/外壳 | 63-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 2.5ns |