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  • 型号: MT47H16M16BG-3E:B
  • 制造商: Micron Technology Inc
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT47H16M16BG-3E:B由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT47H16M16BG-3E:B价格参考。Micron Technology IncMT47H16M16BG-3E:B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT47H16M16BG-3E:B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT47H16M16BG-3E:B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Micron Technology Inc.(美光科技)生产的存储器型号 MT47H16M16BG-3E:B 是一款 DDR3 SDRAM(同步动态随机存取存储器),广泛应用于需要高性能数据处理和存储的场景。以下是其主要应用场景:

 1. 计算机系统
   - 该型号适用于台式电脑、笔记本电脑和工作站等设备,作为主内存提供高速数据读写能力。
   - 支持多任务处理、图形渲染和复杂计算任务。

 2. 服务器与数据中心
   - 在服务器环境中,用于提升数据传输速度和系统响应能力。
   - 支持虚拟化技术、云计算服务和大数据分析。

 3. 嵌入式系统
   - 应用于工业控制、医疗设备、网络通信设备等嵌入式系统中。
   - 提供可靠的性能和稳定性,满足实时数据处理需求。

 4. 图形处理与游戏
   - 为图形处理器(GPU)提供高效的内存支持,适用于游戏主机和高性能显卡。
   - 加速图像渲染和视频处理,提升用户体验。

 5. 网络设备
   - 用于路由器、交换机和其他网络基础设施设备,确保数据包快速转发和处理。
   - 支持高带宽和低延迟的网络通信。

 6. 消费电子
   - 应用于高端电视、智能家电和多媒体播放器,支持高清视频解码和流畅的操作体验。

 技术特点
- 容量:单芯片容量为1Gb(128Mb x 8)。
- 速度:工作频率为800MHz(DDR3-800),符合JEDEC标准。
- 封装:采用FBGA(细间距球栅阵列)封装,适合高密度设计。
- 电压:运行在1.35V或1.5V,具有较低功耗。

总结来说,MT47H16M16BG-3E:B 适用于对性能和可靠性要求较高的领域,能够为各种设备提供高效的存储解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC DDR2 SDRAM 256MBIT 3NS 84FBGA

产品分类

存储器

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MT47H16M16BG-3E:B

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

84-FBGA(8x14)

包装

托盘

存储器类型

DDR2 SDRAM

存储容量

256M (16M x 16)

封装/外壳

84-FBGA

工作温度

0°C ~ 85°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

3ns

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