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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT46V32M8FG-6:G TR 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,常用于需要高速数据访问和大容量内存的应用场景。 该型号属于FBGA封装的SDRAM(同步动态随机存取存储器),其主要应用场景包括: 1. 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机等,用于提高系统运行速度与数据处理能力。 2. 通信设备:广泛应用于路由器、交换机、基站设备中,作为临时数据缓存,提升数据传输与处理效率。 3. 网络设备:在高端网络设备中用于支持多任务处理和高速数据流管理。 4. 消费类电子产品:如智能电视、高端机顶盒等,用于提升系统响应速度和图形处理性能。 5. 汽车电子系统:包括车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)中的图像处理模块等。 6. 测试与测量仪器:用于高速数据采集与分析,确保仪器的实时性和准确性。 该存储器具有高频率、低延迟和良好的稳定性,适用于对性能和可靠性要求较高的嵌入式系统和工业级应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DDR SDRAM 256MBIT 6NS 60FBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT46V32M8FG-6:G TR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 60-FBGA(8x14) |
其它名称 | 557-1026-1 |
包装 | 剪切带 (CT) |
存储器类型 | DDR SDRAM |
存储容量 | 256M(32M x 8) |
封装/外壳 | 60-FBGA |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 2.3 V ~ 2.7 V |
速度 | 6ns |