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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT46V16M16CY-5B XIT:M TR 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要高速数据处理和大容量存储的电子设备中。 该型号存储器主要适用于以下应用场景: 1. 网络通信设备:如路由器、交换机等,用于高速数据包缓存,提升数据传输效率和系统响应速度。 2. 工业控制与自动化系统:在工业计算机和控制模块中提供快速数据访问,支持实时处理和稳定运行。 3. 嵌入式系统:用于智能终端、医疗设备、安防监控设备等,满足其对数据存储和处理性能的高要求。 4. 消费类电子产品:如高性能机顶盒、游戏设备等,支持流畅的多媒体处理与图形显示。 5. 汽车电子系统:包括车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS),提供可靠的数据缓存支持。 该存储器具有高带宽、低延迟和良好的稳定性,适合需要持续高速运行的场景,同时其工业级设计确保在复杂环境中仍能保持可靠性能。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DDR SDRAM 256MBIT 5NS 60FBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT46V16M16CY-5B XIT:M TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 60-FBGA(8x12.5) |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | DDR SDRAM |
存储容量 | 256M (16M x 16) |
封装/外壳 | 60-TFBGA |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 2.5 V ~ 2.7 V |
速度 | 5ns |