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产品简介:
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品牌为美光科技(Micron Technology Inc.)的存储器产品,型号为MT44K16M36RB-125E:A TR,属于高性能DRAM(动态随机存取存储器)模块。该产品主要面向工业级和高端应用领域,具有较高的稳定性和可靠性。 该型号存储器的典型应用场景包括: 1. 网络与通信设备:如路由器、交换机等,用于高速数据缓存,支持大流量数据的快速读写与转发。 2. 工业控制与自动化系统:用于工业计算机、控制模块或数据采集系统,保障设备在复杂环境下的稳定运行。 3. 嵌入式系统:适用于需要高性能内存支持的嵌入式设备,如智能终端、工业机器人等。 4. 测试与测量设备:在高精度测试仪器中提供快速数据处理能力,确保测量的实时性和准确性。 5. 医疗设备:用于影像处理设备或其他需要大量数据存储与快速访问的医疗系统中,保障设备运行的高效与安全。 该产品采用先进的封装技术,具备良好的电气性能和热稳定性,适用于对数据处理速度和系统稳定性有较高要求的中高端应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC RLDRAM 576MBIT 1.25NS 168BGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT44K16M36RB-125E:A TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 168-FBGA(12x12) |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | RLDRAM 3 |
存储容量 | 576M(16M x 36) |
封装/外壳 | 168-TBGA |
工作温度 | 0°C ~ 95°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 1.28 V ~ 1.42 V |
速度 | 1.25ns |