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  • 型号: MT41K512M16TNA-125:E
  • 制造商: Micron Technology Inc
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT41K512M16TNA-125:E由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41K512M16TNA-125:E价格参考。Micron Technology IncMT41K512M16TNA-125:E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT41K512M16TNA-125:E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT41K512M16TNA-125:E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Micron Technology Inc.(美光科技)生产的存储器型号MT41K512M16TNA-125:E是一款DDR4 SDRAM芯片,主要应用于需要高性能和大容量内存的场景。以下是其主要应用场景:

 1. 服务器与数据中心
   - 该型号支持高速数据传输,适用于服务器和数据中心环境,满足云计算、大数据分析和人工智能训练等高负载任务的需求。
   - 其低延迟特性和高带宽能力可提升服务器性能,确保高效的数据处理。

 2. 网络设备
   - 用于路由器、交换机和其他网络设备中,提供快速的数据包处理能力和缓存支持。
   - 在高吞吐量的网络环境中,能够保证数据传输的稳定性和实时性。

 3. 嵌入式系统
   - 应用于工业控制、医疗设备和通信设备等嵌入式系统中,为这些设备提供可靠的内存支持。
   - 特别适合对性能和稳定性要求较高的场景,如自动化生产线或医疗器械中的数据存储和处理。

 4. 图形与计算加速
   - 在GPU和FPGA等计算加速设备中,作为显存或缓存使用,支持复杂的图形渲染和科学计算任务。
   - 提供高效的内存访问速度,优化计算性能。

 5. 消费电子产品
   - 虽然主要面向企业级市场,但也可用于高端消费电子产品,如游戏主机、智能电视等,以支持高质量的多媒体体验。

 技术特点
- 容量:单颗芯片容量为512Mb(64MB),适合构建多芯片模块以实现更大容量。
- 频率:工作频率高达2133MHz,提供高带宽支持。
- 电压:采用低功耗设计(VDD = 1.2V),降低能耗。
- 封装形式:采用FBGA封装,适合高密度板设计。

综上所述,MT41K512M16TNA-125:E广泛应用于需要高性能、低延迟和高可靠性的存储解决方案中,特别是在企业级和工业领域具有重要价值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC DDR3 SDRAM 8GBIT 800MHZ FBGA

产品分类

存储器

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MT41K512M16TNA-125:E

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

96-FBGA(10x14)

包装

托盘

存储器类型

DDR3L SDRAM

存储容量

8G(512M x 16)

封装/外壳

96-TFBGA

工作温度

0°C ~ 95°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.283 V ~ 1.45 V

速度

800MHz

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