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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT41J128M8JP-15E:G TR 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,广泛应用于需要高速数据处理和大容量内存的电子设备中。 该型号主要适用于以下应用场景: 1. 服务器与数据中心:该DRAM模块具备高容量和高速传输特性,适合用于服务器和数据中心的内存扩展,有助于提升系统运行效率和数据处理能力。 2. 网络设备:在路由器、交换机等高性能网络设备中,该存储器可用于缓存和快速处理大量数据流量,保障网络通信的稳定与高效。 3. 工业控制与自动化设备:在工业自动化系统中,该模块可为嵌入式控制系统提供可靠的内存支持,满足复杂运算和实时控制需求。 4. 高端消费电子产品:如高性能计算设备、游戏主机等,可利用该存储器提升图形处理能力和系统响应速度。 5. 通信基站与边缘计算设备:用于5G基站、边缘计算终端等设备中,支持高速数据交换与实时分析处理。 该存储器采用标准封装和接口设计,便于集成与替换,适用于多种主板和系统架构,具有良好的兼容性和稳定性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT41J128M8JP-15E:G TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 78-FBGA(8x11.5) |
其它名称 | 557-1494-2 |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | DDR3 SDRAM |
存储容量 | 1G(128M x 8) |
封装/外壳 | 78-TFBGA |
工作温度 | 0°C ~ 95°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 2,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 1.425 V ~ 1.575 V |
速度 | 667MHz |