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产品简介:
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型号为MT18KSF51272AZ-1G6K1的Micron内存模块属于ECC(错误校验与纠正)注册型内存条,主要应用于对数据完整性和系统稳定性要求较高的服务器和工作站环境。 该内存模块规格为512MB容量,DDR2类型,运行频率为667MHz,采用72位总线宽度(含ECC校验位),CL5延迟,工作电压为1.8V,属于低电压节能型设计,适用于对能耗敏感的数据中心或服务器集群。 典型应用场景包括: 1. 企业级服务器:用于运行数据库、虚拟化平台、云计算服务等关键业务系统,保障长时间运行的稳定性。 2. 高性能工作站:适用于工程设计、视频编辑、科学计算等高性能计算场景,提升数据处理效率。 3. 存储设备:用于网络附加存储(NAS)或存储区域网络(SAN)设备中,提升数据读写与缓存能力。 4. 电信与网络设备:适用于通信基础设施中的路由器、交换机等设备,保障数据传输的可靠性。 该模块通过其ECC功能可有效检测并纠正单比特内存错误,防止数据损坏,提升系统可靠性,适合对稳定性要求严苛的专业领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 存储卡,模块 |
| 描述 | MODULE DDR3 SDRAM 4GB EUDIMM |
| 产品分类 | 存储器 - 模块 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT18KSF51272AZ-1G6K1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 4GB |
| 封装/外壳 | 240-UDIMM |
| 标准包装 | 100 |
| 速度 | 1600MT/s |