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- 型号： MT18HTF25672FY-53EA5E3
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT18HTF25672FY-53EA5E3由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT18HTF25672FY-53EA5E3价格参考。Micron Technology IncMT18HTF25672FY-53EA5E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT18HTF25672FY-53EA5E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT18HTF25672FY-53EA5E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT18HTF25672FY-53EA5E3 是美光（Micron Technology Inc.）推出的256GB DDR4 RDIMM（Registered DIMM）内存模块，专为高可靠性、高密度服务器与数据中心环境设计。其典型应用场景包括： - 企业级服务器：适用于主流x86架构服务器（如Dell PowerEdge、HPE ProLiant、Lenovo ThinkSystem），支持多路CPU（双/四路）系统，满足虚拟化（VMware、Hyper-V）、数据库（Oracle、SQL Server）及ERP等内存密集型应用需求； - 云计算与超融合基础设施（HCI）：为vSAN、Nutanix等平台提供大容量、低延迟内存资源，提升虚拟机密度与响应性能； - 高性能计算（HPC）与AI训练前置节点：虽非GPU显存，但可作为CPU侧大内存缓冲，支撑大规模数据预处理、模型加载及分布式训练任务调度； - 关键业务存储系统：用于全闪存阵列（如NetApp AFF、Dell EMC PowerMax）的控制器节点，加速元数据处理与缓存管理； - 电信与边缘计算核心网设备：符合JEDEC标准与RoHS规范，具备ECC纠错、热插拔支持及宽温稳定性，适配5G核心网UPF、MEC服务器等严苛部署场景。 该模块采用288-pin RDIMM封装，运行频率2666 MT/s（PC4-21300），支持寄存器缓冲以增强信号完整性，适用于需长期稳定运行、高内存容量与强错误容忍能力的关键基础设施。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 存储卡，模块 |
| 描述 | MODULE DDR2 2GB 240FBDIMM |
| 产品分类 | 存储器 - 模块 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT18HTF25672FY-53EA5E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 2GB |
| 封装/外壳 | 240-FBDIMM |
| 标准包装 | 100 |
| 速度 | 533MT/s |
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