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- 型号： MT16VDDT12864AY-40BF3
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT16VDDT12864AY-40BF3由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT16VDDT12864AY-40BF3价格参考。Micron Technology IncMT16VDDT12864AY-40BF3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT16VDDT12864AY-40BF3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT16VDDT12864AY-40BF3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT16VDDT12864AY-40BF3 是美光（Micron）推出的 DDR4 RDIMM（Registered DIMM）内存模块，容量为128GB，工作频率为2666 MT/s（PC4-21300），采用288针脚、1.2V低电压设计，支持ECC（错误校验与纠正）功能。该型号专为高可靠性、高密度服务器与工作站平台设计。 典型应用场景包括： - 企业级服务器：用于数据库服务器（如Oracle、SQL Server）、虚拟化平台（VMware vSphere、Microsoft Hyper-V）及私有云基础设施，满足多虚拟机并发运行对大内存容量与稳定性的严苛需求； - 高性能计算（HPC）节点：支撑科学计算、基因测序、CAE仿真等内存密集型任务，ECC与寄存式架构可显著降低数据错误率，保障长时间运算准确性； - AI训练/推理服务器：配合GPU加速卡（如NVIDIA A100/H100）处理大规模模型加载与中间特征缓存，128GB单条容量有助于减少插槽数量、优化内存带宽利用率； - 关键业务系统：金融交易系统、电信核心网元（如5GC控制面）、大型ERP系统等对数据完整性与系统可用性要求极高的场景，其RDIMM架构与ECC功能可有效抑制内存软错误，提升系统平均无故障时间（MTBF）。 注：“品牌为-”应为品牌信息缺失，实际制造商为Micron（美光）；“存储器 - 模块”分类准确，属计算机主存（DRAM）模块，非SSD或闪存存储设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 存储卡，模块 |
| 描述 | MODULE DDR SDRAM 1GB 184-DIMM |
| 产品分类 | 存储器 - 模块 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT16VDDT12864AY-40BF3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 存储器类型 | DDR SDRAM |
| 存储容量 | 1GB |
| 封装/外壳 | 184-DIMM |
| 标准包装 | 100 |
| 速度 | 400MT/s |
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