图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MSRTA20060(A)D由GENESIC SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSRTA20060(A)D价格参考。GENESIC SEMIMSRTA20060(A)D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MSRTA20060(A)D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSRTA20060(A)D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MSRTA20060(A)D 是 GeneSiC Semiconductor 推出的一款高性能碳化硅(SiC)肖特基势垒整流器阵列,采用双管共阴极封装(DO-247 或类似),额定电压600 V,平均正向电流20 A(Tc=135°C),具备零反向恢复电荷(Qrr ≈ 0)、低正向压降(VF ≈ 1.5 V @ 20 A)和优异的高温稳定性。 其主要应用场景包括: 1. 高频开关电源(SMPS):作为PFC(功率因数校正)升压级输出整流器,显著降低开关损耗与EMI,提升效率(>98%)和功率密度; 2. 光伏逆变器:用于DC/AC转换级的直流侧整流或旁路保护,耐受高dv/dt及恶劣环境(-55℃~175℃结温),提升系统可靠性和寿命; 3. 储能系统(ESS)与UPS:在双向AC/DC、DC/DC变换中实现高效能量回馈整流,减少热管理需求; 4. 电动汽车车载充电机(OBC):满足高效率、小体积、宽温度范围要求,支持11–22 kW快充设计; 5. 工业电机驱动与感应加热电源:作为高频整流桥臂或续流路径,抑制反向恢复引起的电压尖峰与器件应力。 得益于SiC材料特性,该器件可替代传统硅快恢复二极管(FRD)或部分Si IGBT体二极管,尤其适用于高频(≥50 kHz)、高温、高可靠性要求的中高功率(1–10 kW级)电力电子系统。