Datasheet下载- 型号： MSMCJ15AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSMCJ15AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSMCJ15AE3价格参考。MICRO-SEMIMSMCJ15AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSMCJ15AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSMCJ15AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下品牌）的型号MSMCJ15AE3是一款瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），属于SMCJ系列，采用SMC封装。该器件主要用于电路中的过电压保护，特别适用于防止静电放电（ESD）、雷击感应、电感负载切换等引起的瞬态高压脉冲对敏感电子元件的损害。 MSMCJ15AE3的反向击穿电压约为16.7V，最大钳位电压为24.4V，能承受高达1500W的峰值脉冲功率（PPPM，8/20μs波形），具备较强的瞬态能量吸收能力。其响应速度快（通常在皮秒级），可有效保护下游电路。 典型应用场景包括： 1. 工业控制设备：用于PLC、传感器接口、通信端口（如RS-232、RS-485）的过压保护； 2. 电源系统：在直流电源输入端防止浪涌电压损坏电源模块； 3. 汽车电子：适用于车载信息娱乐系统、ECU等需抗电磁干扰和电源波动的环境； 4. 消费类电子产品：保护USB接口、充电端口等易受ESD影响的部位； 5. 通信设备：用于以太网端口、电话线路等信号线的浪涌防护。 该器件具有高可靠性与稳定性，适合在严苛环境中使用。由于其双向结构设计，也可用于交流信号线路的保护。广泛应用于需要高耐压、强抗干扰能力的中低速信号线和电源线保护场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10561-msmc-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MSMCJ15AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-214AB （SMCJ） |
| 其它名称 | 1086-8530 |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W （1.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 16.7V |
| 电压-反向关态（典型值） | 15V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 24.4V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 61.5A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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