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  • 型号: MSMBJ2K3.3E3
  • 制造商: MICRO-SEMI
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MSMBJ2K3.3E3由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSMBJ2K3.3E3价格参考。MICRO-SEMIMSMBJ2K3.3E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MSMBJ2K3.3E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSMBJ2K3.3E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology的一部分)生产的MSMBJ2K3.3E3型号属于TVS(瞬态电压抑制器)二极管类别,主要应用于电路保护领域。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 过压保护
   - MSMBJ2K3.3E3用于保护电子设备免受瞬态电压尖峰的影响,例如雷击、静电放电(ESD)或开关噪声引起的过压。
   - 常见应用包括电源输入端口、信号线和数据接口的保护。

 2. 通信设备
   - 在通信系统中,如以太网、USB、RS-232/485等接口,该器件可防止外部干扰导致的损坏。
   - 特别适用于需要高可靠性的工业通信网络。

 3. 消费类电子产品
   - 应用于电视、音响、家用电器等产品的敏感电路保护,确保产品在复杂电磁环境中稳定运行。
   - 防止用户操作不当或环境因素引发的电压异常。

 4. 汽车电子
   - 在汽车电子控制单元(ECU)、传感器接口和车载娱乐系统中,提供抗干扰保护。
   - 能够承受车辆启动时的电压波动或负载突降(Load Dump)。

 5. 工业自动化
   - 用于工业控制器、PLC模块和传感器电路中,防止因恶劣工作环境导致的电压浪涌。
   - 提高设备的耐用性和可靠性。

 6. 医疗设备
   - 在便携式医疗设备或医院监护仪器中,保护关键电路免受瞬态电压影响,确保患者安全和数据准确性。

 性能特点
- 反向 standoff 电压:3.3V,适合低电压应用。
- 峰值脉冲电流:高达20A(典型值),能够承受较大的瞬态电流。
- 快速响应时间:纳秒级,有效抑制瞬态电压。
- 低漏电流:减少对正常电路工作的影响。

综上所述,MSMBJ2K3.3E3是一款高性能的TVS二极管,广泛应用于各种需要过压保护的场景,尤其适合对可靠性要求较高的行业。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

产品分类

TVS - 二极管

品牌

Microsemi HI-REL [MIL]

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10012-msc0977-pdf

产品图片

产品型号

MSMBJ2K3.3E3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同频率时的电容

-

供应商器件封装

SMBJ(DO-214AA)

其它名称

1086-8082

功率-峰值脉冲

2000W (2kW)

包装

散装

单向通道

1

双向通道

-

安装类型

表面贴装

封装/外壳

DO-214AA,SMB

工作温度

-65°C ~ 150°C

应用

通用

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

4.6V

电压-反向关态(典型值)

3.3V

电压-箝位(最大值)@Ipp

5.8V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

10A (8/20µs)

电源线路保护

类型

齐纳

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