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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MSMBG2K4.0E3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSMBG2K4.0E3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSMBG2K4.0E3价格参考。MICRO-SEMIMSMBG2K4.0E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSMBG2K4.0E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSMBG2K4.0E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下品牌）的TVS二极管型号MSMBG2K4.0E3，是一款瞬态电压抑制二极管，主要用于电路中的静电放电（ESD）和瞬态电压保护。该器件额定击穿电压约为4.0V，采用小型表面贴装封装（如SOD-123），具有响应速度快、漏电流低、钳位性能优良等特点。 MSMBG2K4.0E3广泛应用于对静电敏感的电子设备中，典型使用场景包括：便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）的USB接口、音频/视频端口和按键电路的ESD防护；工业控制设备中通信接口（如RS-232、I²C、GPIO）的瞬态保护；以及各类精密传感器信号线路的过压保护。此外，该器件也适用于电源管理单元和电池供电系统，防止因人为操作或环境因素引发的瞬时高压损坏后级芯片。 由于其紧凑的封装和高可靠性，MSMBG2K4.0E3特别适合空间受限且需符合IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电）等国际ESD标准的高密度电路设计。整体而言，该TVS二极管是保障现代电子系统稳定运行的重要保护元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10012-msc0977-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MSMBG2K4.0E3 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SMBG (DO-215AA） |
| 其它名称 | 1086-7890 |
| 功率-峰值脉冲 | 2000W （2kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-215AA，SMB 鸥翼型 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 5V |
| 电压-反向关态（典型值） | 4V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 6.3V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 10A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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