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- 型号： MSM5118160F-60T3K-MT
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSM5118160F-60T3K-MT由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSM5118160F-60T3K-MT价格参考。ROHM SemiconductorMSM5118160F-60T3K-MT封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSM5118160F-60T3K-MT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSM5118160F-60T3K-MT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的MSM5118160F-60T3K-MT是一款静态随机存取存储器（SRAM），容量为16k x 8位，访问时间为60ns。该器件适用于需要高速数据访问和可靠存储性能的工业与通信类应用。 该SRAM常用于网络设备、工业控制设备、测量仪器以及嵌入式系统中，作为高速缓存或临时数据存储单元。其高速特性使其适用于对响应时间要求较高的场景，如数据缓冲、图像处理和实时控制系统。 此外，该器件采用Triton封装技术，具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于环境较为复杂、对可靠性要求较高的工业应用。其低功耗设计也有助于提高系统能效，延长设备使用寿命。 总的来说，MSM5118160F-60T3K-MT适用于对速度、稳定性和可靠性有较高要求的中高端工业与通信设备中，作为关键的存储单元使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MSM5118160F-60T3K-MT |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | - |
| 其它名称 | MSM5118160F-60T3-K |
| 包装 | - |
| 存储器类型 | DRAM |
| 存储容量 | 16M （1M x 16） |
| 封装/外壳 | - |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,170 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 60ns |
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