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产品简介:
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MSM5117400F-60J3-7 是罗姆半导体(ROHM Semiconductor)推出的一款高速CMOS静态RAM(SRAM),容量为1 Mbit(128K × 8位),访问时间为60 ns,采用JEDEC标准SOJ-32封装,工作电压为5 V。 该器件主要面向工业控制、通信设备及嵌入式系统中对可靠性与实时性要求较高的场景。典型应用包括: - 工业PLC(可编程逻辑控制器)中的高速数据缓存与中间寄存; - 网络设备(如交换机、路由器)的帧缓冲、地址表暂存; - 医疗电子设备(如影像处理模块)中需低延迟读写的临时数据存储; - 汽车电子中的车身控制模块(BCM)或仪表盘系统(非安全关键路径)中的辅助缓存; - 老旧但仍在维护的嵌入式系统升级替换——因其兼容经典5V TTL电平与标准并行接口,常用于替代停产的同类SRAM(如IS61LV1024等)。 需注意:该型号为较早期产品(已停产或进入产品寿命末期),ROHM官网当前主推更节能的低电压/低功耗SRAM系列。实际选用时建议确认供货状态,并评估向新型号(如带自动待机功能的LV系列)迁移的可行性。其60 ns访问速度与5 V接口特性,决定了它适用于对功耗不敏感、但强调确定性时序和接口兼容性的传统硬件平台。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DRAM 16MBIT 60NS 26SOJ |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MSM5117400F-60J3-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | - |
| 包装 | - |
| 存储器类型 | DRAM |
| 存储容量 | 16M(4M x 4) |
| 封装/外壳 | - |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,890 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 60ns |