Datasheet下载- 型号： MSD42WT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSD42WT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSD42WT1G价格参考。ON SemiconductorMSD42WT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSD42WT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSD42WT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MSD42WT1G的晶体管由安森美半导体（ON Semiconductor）生产，属于双极型晶体管（BJT）中的一种。该晶体管常用于通用开关和放大电路，具有良好的性能和可靠性。 MSD42WT1G的主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于电源开关电路中，控制电源的通断，适用于电池供电设备和低功耗系统。 2. 数字电路开关：作为开关元件，用于数字电路中的信号控制，例如驱动继电器、LED和小型电机。 3. 放大电路：在音频放大器或其他低频放大电路中用作信号放大元件。 4. 工业控制：应用于工业自动化设备中的信号处理和控制电路。 5. 消费电子产品：如电视、音响、家用电器等设备中的电源和控制电路部分。 6. 汽车电子：用于汽车控制系统中，例如灯光控制、传感器信号处理等。 MSD42WT1G具有较高的电流增益和良好的热稳定性，适合中低功率应用。其SOT-23封装形式节省空间，适用于高密度PCB设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN GP BIPO 300V SOT-323两极晶体管 - BJT 150mA 300V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MSD42WT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MSD42WT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 2mA，20mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 30mA，10V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar- RF |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 其它名称 | MSD42WT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 |
| 系列 | MSD42W |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 300 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.15 A |
| 频率-跃迁 | - |
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