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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MSD42T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSD42T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSD42T1G价格参考。ON SemiconductorMSD42T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSD42T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSD42T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的MSD42T1G是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于通用放大和开关应用的小信号晶体管。该器件采用SOT-23封装，具有体积小、可靠性高、性价比优等特点，广泛应用于各类电子设备中。 MSD42T1G主要适用于低电流、低电压条件下的信号放大与开关控制场景。常见应用包括：便携式电子产品中的电源管理开关、LED驱动电路、逻辑电平转换、音频信号前置放大、传感器信号调理电路等。由于其良好的增益特性和快速开关响应，也常用于微控制器I/O扩展驱动、继电器或蜂鸣器等负载的控制。 此外，该型号符合RoHS环保要求，并具备较高的温度稳定性，适合在消费类电子（如智能手机、平板电脑、智能家居设备）、工业控制模块、通信设备以及汽车电子中的非动力系统（如车载信息娱乐系统）中使用。 总体而言，MSD42T1G是一款性能稳定、应用灵活的小信号BJT，特别适用于需要小型化设计和高可靠性的中低功率电路场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN GP BIPO 300V SC-59两极晶体管 - BJT SS XSTR HV 300V TR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MSD42T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MSD42T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 2mA，20mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 30mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 |
| 系列 | MSD42 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 300 V |
| 频率-跃迁 | - |
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