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  • 型号: MSB710-RT1
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MSB710-RT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSB710-RT1价格参考。ON SemiconductorMSB710-RT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MSB710-RT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSB710-RT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MSB710-RT1 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款PNP型通用双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23小型表面贴装封装,具有低饱和电压、高直流电流增益(hFE典型值达250@IC=10mA)、快速开关特性及良好的热稳定性。其典型应用场景包括:

- 小信号开关与电平转换:常用于微控制器I/O口驱动,如控制LED、蜂鸣器、继电器线圈或逻辑电平转换(如3.3V↔5V系统间接口);  
- 负载开关电路:在便携式设备中作为高边(High-side)开关,控制电源通断(如为传感器、RF模块等外设供电管理);  
- 线性放大与偏置电路:适用于低频、小功率模拟信号放大(如传感器信号调理中的前置放大或偏置网络);  
- 电池供电设备:得益于低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA)和低待机电流,广泛应用于蓝牙耳机、智能穿戴、遥控器等对功耗敏感的便携产品;  
- 工业与消费类电子:如家电控制板、电机驱动辅助电路、电源管理中的使能/复位信号调理等。

该器件工作结温范围为−55°C至+150°C,符合AEC-Q101标准(车规级可靠性),亦可用于部分车载信息娱乐系统或车身电子的非安全关键子电路。需注意其最大集电极电流为100mA(连续),不适用于大功率驱动场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP GP BIPO 50V SC-59

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MSB710-RT1

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 30mA,300mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 150mA,10V

供应商器件封装

SC-59

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

PNP

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

-

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