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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MSB709-RT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSB709-RT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSB709-RT1价格参考。ON SemiconductorMSB709-RT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSB709-RT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSB709-RT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MSB709-RT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款PNP型通用小信号双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23表面贴装封装，具有低饱和电压、高直流电流增益（hFE典型值达250@IC=10mA）和快速开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ 低功耗开关电路：如便携式设备（蓝牙耳机、可穿戴设备）中的LED驱动、蜂鸣器控制或电源通断管理； ✅ 信号电平转换与反相放大：在微控制器I/O口驱动能力不足时，用作逻辑电平反相器或缓冲级（如将3.3V MCU信号驱动5V负载）； ✅ 模拟前端的偏置与电流镜电路：适用于便携式传感器模块、电池供电仪表中对功耗敏感的偏置网络； ✅ 线性稳压辅助电路：在LDO或基准源中用作误差放大器的输入级或电流源负载。 该器件最大集电极电流IC为−100mA，VCEO为−40V，结温范围−55°C~+150°C，具备良好的热稳定性和ESD防护能力（HBM 2kV），适合工业及消费类电子中空间受限、需兼顾性能与可靠性的场合。不推荐用于大功率放大或高频射频应用（fT约180MHz，非优化RF设计）。 综上，MSB709-RT1 主要面向中小电流、中低频、高集成度的嵌入式控制与接口电路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS GP PNP -45V SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MSB709-RT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 210 @ 2mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | MSB709-RT1OS |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 频率-跃迁 | - |
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