Datasheet下载- 型号： MRFG35030R5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35030R5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35030R5价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35030R5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35030R5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35030R5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35030R5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为高频、高效率射频功率放大设计。其典型工作频率范围为1.8–2.7 GHz，适用于蜂窝通信基础设施中的宏基站和小型基站（Small Cell）。 主要应用场景包括： - 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站发射链路：作为末级功率放大器（PA），支持多载波信号（如20–100 MHz带宽），具备高增益（约18 dB）、高输出功率（连续波下典型Pout = 30 W，脉冲模式可达更高）及优异的功率附加效率（PAE ≈ 60% @ 2.14 GHz）。 - 无线接入设备：用于分布式天线系统（DAS）、有源天线单元（AAU）及中继器中的射频功放模块。 - 工业与专用通信系统：如公共安全宽带网络（FirstNet）、TETRA、WiMAX 等中高频段宽带通信系统。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1229A），具备优良热性能与可靠性，支持高线性度工作（配合DPD数字预失真技术），满足严苛的ACLR（邻道泄漏比）与EVM（误差矢量幅度）指标要求。广泛应用于电信设备制造商（如爱立信、诺基亚、华为供应链）的射频功放子系统中。 注：实际应用需配合匹配电路、偏置网络及散热设计，并遵循NXP官方数据手册与参考设计（如AN11159）进行优化。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFG35030R5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | - |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 12dB |
| 封装/外壳 | HF-600 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 650mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | - |
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