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- 型号： MRFG35010R5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35010R5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35010R5价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35010R5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35010R5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35010R5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35010R5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为高频、高效率射频功率放大设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（支持 LTE、WiMAX、WCDMA 等主流蜂窝频段），输出功率可达 10 W（连续波，CW），具备高增益（约 17 dB）、高功率附加效率（PAE > 60%）和优异的热稳定性。 主要应用场景包括： ✅ 4G/5G 小基站（Small Cell）：作为末级功率放大器（PA），满足紧凑型基站对高集成度、低功耗与线性度的要求； ✅ 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、室内覆盖系统及微蜂窝基站中的射频功放模块； ✅ ISM 频段工业应用：在 2.4 GHz ISM 频段用于 RFID 读写器、无线医疗设备或工业遥控系统的射频发射链路； ✅ 宽带通信测试设备：作为信号源或功率放大模块，用于实验室射频一致性测试与校准系统。 该器件采用表面贴装塑料封装（SO-8），内置ESD保护与匹配输入/输出阻抗（50 Ω 兼容），简化外围电路设计，支持单电源供电（28 V），适合高可靠性、中等功率射频发射场景。不适用于毫米波或超大功率宏基站主设备（需更高功率器件如 MRFE6VP61K）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFG35010R5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-360HF |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 10dB |
| 封装/外壳 | NI-360HF |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 180mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 2.9A |
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