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产品简介:
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型号为MRFG35010NR5、由NXP USA Inc.生产的射频MOSFET晶体管,主要应用于射频(RF)功率放大领域。该器件常用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、广播发射系统以及工业和医疗射频设备中。其高功率密度和优良的热稳定性使其适合在高频率和高功率要求的环境中工作,确保信号传输的高效与稳定。此外,该MOSFET也适用于射频能量应用,如加热和等离子体生成等工业场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF 9W 12V POWER FET |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFG35010NR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 其它名称 | MRFG35010NR5DKR |
| 功率-输出 | 9W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 10dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 180mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 2.9A |