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- 型号： MRFG35010AR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35010AR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35010AR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35010AR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35010AR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35010AR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35010AR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 GaAs pHEMT 射频功率MOSFET（严格归类为射频场效应晶体管），工作频率高达3.5 GHz，典型用于2.4–2.5 GHz和3.3–3.8 GHz频段。其主要应用场景包括： - 无线通信基础设施：作为5G小型基站（Small Cell）、毫微微蜂窝（Femtocell）及分布式天线系统（DAS）中的末级功率放大器（PA），支持高效率、高线性度的信号发射； - Wi-Fi 6/6E 和 Wi-Fi 7 前端模块：适用于高端路由器、企业级AP及无线网关，在2.4 GHz与5 GHz（扩展至6 GHz）频段提供高增益（>15 dB）和高输出功率（P1dB ≈ 10 W）； - 点对点微波回传：在短距（<5 km）E-band或ISM频段微波链路中用作发射链路功放； - 工业与专用无线系统：如智能电网PLC中继、无人机图传发射模块、雷达传感器（低功率S波段连续波应用）等对尺寸、效率和热稳定性有要求的场景。 该器件采用5×5 mm QFN封装，集成ESD保护，支持偏置可调以优化线性度或效率，适用于需要紧凑设计与高可靠性射频功率解决方案的OEM设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFG35010AR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-360HF |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 10dB |
| 封装/外壳 | NI-360HF |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 140mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 2.9A |
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