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产品简介:
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MRFG35005MR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 GaAs pHEMT 射频功率 MOSFET,专为 5 GHz 频段(典型工作频段:4.9–5.9 GHz)设计,采用 SOT-1136A(5 mm × 5 mm QFN)封装,具备高增益、高效率和优异线性度。 其主要应用场景包括: ✅ Wi-Fi 5/6/6E 接入点(AP)与路由器射频前端:作为 5 GHz Wi-Fi(802.11a/n/ac/ax)功率放大器(PA),支持高吞吐量和MU-MIMO应用; ✅ 小型蜂窝基站(Small Cell):适用于企业级/室内微基站的末级射频功放,满足低功耗、高集成需求; ✅ 无线网状网络(Wireless Mesh)与CPE设备:在5 GHz回传链路或客户终端设备中提供稳定射频输出; ✅ 物联网(IoT)网关及工业无线通信模块:支持需中等射频功率(典型P1dB ≈ 27 dBm)、高可靠性及宽温度范围(–40°C 至 +85°C)的严苛环境。 该器件内置ESD保护、匹配至50 Ω输入/输出(简化外围设计),并支持单电源(+5 V)供电,便于与主流Wi-Fi SoC(如博通、高通、联发科方案)协同集成。广泛用于消费电子、企业网络设备及工业无线基础设施领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF 3.5GHZ 12V 1.5PLD |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFG35005MR5 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 功率-输出 | 4.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 80mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 1.7A |