Datasheet下载- 型号： MRFG35003NR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35003NR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35003NR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35003NR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35003NR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35003NR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35003NR5 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能 GaAs pHEMT 射频功率MOSFET，专为 2.4–2.5 GHz 频段优化，典型增益达13 dB，输出功率（P1dB）约3 W，PAE（功率附加效率）高达60%。其主要应用场景包括： - Wi-Fi 无线通信系统：广泛用于 IEEE 802.11b/g/n/ac 的2.4 GHz射频前端，作为功率放大器（PA），支持高数据速率与远距离覆盖，适用于路由器、接入点（AP）、网关等设备。 - 物联网（IoT）与智能硬件：在需低功耗、高线性度的2.4 GHz短距通信模块中（如智能家居中枢、工业无线传感器节点），提供稳定可靠的射频发射能力。 - 无线音视频传输设备：如无线显示器适配器、高清视频流媒体发射端，利用其高效率和良好EVM性能保障清晰稳定的信号传输。 - 通用2.4 GHz ISM频段应用：包括RFID读写器、无线麦克风、无人机图传系统及部分蓝牙共存场景中的辅助射频放大环节。 该器件采用紧凑的5引脚SOT-89封装，具备良好的热稳定性与ESD防护能力，支持简易PCB布局与量产装配，适合对尺寸、效率与成本均有要求的消费类及工业级射频设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF 3W 12V POWER FET |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFG35003NR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 其它名称 | MRFG35003NR5DKR |
| 功率-输出 | 3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11.5dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 55mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 1.3A |
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